رسوب گذاری شیمیائی مواد از حالت بخا

پوشش دهی از حالت بخار بعنوان تکنیک مهمی در تحقیقات و صنعت کاربرد ز پیدا کرده است .رسوب گذاری از حالت بخار بسته باینکه بین بخار و رسوبی که تشکیل میشود چه شباهتهایا تفاوتهائی وجود داشته باشد به دودسته تقسیم میشود :" رسوب گذاری شیمیایی از حالت بخار)cvd.(" که در مواردی است که رسوب موردن از یک فعل و انفعال شیمیایی مثل تجزیه یک ترکیب شیمیایی بدست آید و "رسوب گذاری فیزیکی از حالت بخار" به مواردی گفته میشود که رسوب موردنظر از حالت بخار اتمی عنصر یا عناصر تشکیل دهنده آن بوجود بیاید.فرآیندهای رسوب گذاری از حالت بخار بسیار متنوعند،چنانکه بوسیله آنها انواع پوششها، پودرها، شکلها و وسائل مختلفی را میتوان بوجود آورد.درهردوحالت رسوب گذاری شیمیایی و فیزیکی بخارهای موردنیاز باید از سطح جامد یا مایعی متصاعد شده و سپس به سمت زمینه- هائی منتقل شوند که درآنجا رسوب میکنند یاتجزیه میشوند.دراین تحقیق بحث اساس برروی فرآیندهای رسوب گذاری شیمیایی ازحالت بخاری است که رسوب سیلکن برروی ویفرهای (ورقه های تک کریستالی سیلیکن) سیلیکنی و پوششهای مقاوم به سایشی مانند سیلیکونیزه و کربوریزه کردن را انجام میدهد.از مخلوط گازی h2+sicl4 برای رسوب گذاری سیلیکن استفاده شده است که در تحقیقات قبلی کمتر مورد توجه قرار گرفته است و اطلاعاتی که راجع به آن بدست آمده است باتوجه به منابع و مراجعی که دردسترس وجود دارد کار جدیدی بحساب میاید.ساختار پلی کریستالی که در رسو گذاری سیلیکن در آزمایشات بدست آمده است برای وسائل الکترونیکی مانند سلولها خورشیدی مناسب است و اگر سیستمی که درآزمایشات مورد استفاده قرار گرفته است اندازه بزرگتری طراحی و ساخته شود بوسیله آن سلولهای خورشیدی درحد صنعتی میتوان بوجود آورد .